有机复合磁性隧道结的微制备及其结构和物性研究

该项目将通过采用磁控溅射和有机单分子LB膜等先进制备方法，并运用深紫外曝光、电子束曝光、Ar离子束及细聚焦离子束刻蚀等先进的微加工技术，研制在低温和室温下具有高自旋极化率、高 (GMR、TMR) 磁电阻比值和高性能的核心层状结构为[磁性金属/有机单分子LB膜]n 的有机复合GMR多层膜、及 [磁性金属/有机单分子膜/磁性金属] 隧道结等新型有机自旋电子学材料。探讨这些材料体系中可能存在的各种量子阱态、与量子阱态相关的共振隧穿效应、与自旋相关的磁电阻振荡效应、自旋极化电流驱动下的自旋迁移、自旋信息有效写入等重要前沿物理问题，并通过人工合成发现有重要应用前景的新型自旋有机复合材料。同时发展基于自旋有机单分子复合材料的高密度信息存储介质以及新型自旋电子学器件原理。发展具有中国知识产权的有机自旋电子学先进功能材料和下一代有机分子器件，探索和解决有前瞻性的有机自旋电子学材料、物理和器件原理等问题。