分子尺度磁隧道结的模拟研究

用有机分子作为隧穿势垒的分子尺度隧道磁电阻器件具有十分巨大的潜在应用价值，必然会极大地促进磁输运电子器件的发展。因此，分子尺度隧道磁电阻器件逐步得到人们的广泛关注。可是到目前为止很多相关研究工作还是非常初步的，其中还有很多关键的问题值得进一步的研究。.本申请项目通过密度泛函理论电子结构计算和非平衡态格林函数的方法，系统地研究分子与磁性电极之间的接触结构、各种电极表面形貌以及分子终端桥接原子对分子尺度隧道磁电阻器件磁输运性质的影响。通过分析磁输运性质与微观原子结构、电子结构的关系，能够为分子尺度隧道磁电阻器件的设计和进一步应用提供理论指导，也为实验研究提供理论依据。