含稀土的Ⅳ-Ⅵ族铅盐半磁半导体的研究

基本信息
批准号:69406005
项目类别:青年科学基金项目
资助金额:8.00
负责人:韩秀峰
学科分类:
依托单位:吉林大学
批准年份:1994
结题年份:1997
起止时间:1995-01-01 - 1997-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:王子君,王学凤,张宏伟
关键词:
铅盐半磁半导体稀土元素MBE方法
结项摘要

利用分子束外延方法生长出含稀土铕的铅盐半磁半导体Pb1-xEuxSe和Pb1-xEuxTe的单晶外延膜样品,单晶外延膜为p型半导体,其室温载流子浓度为5.0*10(17)cm(-3),室温空穴迁移率为100cm(2)/Vs。磁性铕离子的磁矩接近7.0μB,与二价顺磁性铕离子的磁矩相符合。在Pb1-xEuxSe的4.2K等温磁化曲线及磁化率曲线中,可以观测到磁化强度的阶跃现象,并能给出发生阶跃的临界磁场。高于4.2K温度后,铕离子在磁场下的磁行为更接近于顺磁性离子,且磁化强度的阶跃现象消失,表明Pb1-xEuxSe中铕离子之间的弱磁性交换相互作用强度J和单离子磁晶各向异性系数,具有不高于10K的数量级。磁性量理论的计算结果给出J的数值约为J/KB--10(-1)K。对Pb1-xEuxSe超低温测试和研究是必要的。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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