含稀土的Ⅳ-Ⅵ族铅盐半磁半导体的研究
基本信息
批准号：69406005
项目类别：青年科学基金项目
资助金额：8.00
负责人：韩秀峰
学科分类：
依托单位：吉林大学
批准年份：1994
结题年份：1997
起止时间：1995-01-01 - 1997-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：王子君,王学凤,张宏伟
关键词：
铅盐半磁半导体稀土元素MBE方法
结项摘要
利用分子束外延方法生长出含稀土铕的铅盐半磁半导体Pb1-xEuxSe和Pb1-xEuxTe的单晶外延膜样品，单晶外延膜为p型半导体，其室温载流子浓度为5.0*10（17）cm（-3），室温空穴迁移率为100cm（2）/Vs。磁性铕离子的磁矩接近7.0μB，与二价顺磁性铕离子的磁矩相符合。在Pb1-xEuxSe的4.2K等温磁化曲线及磁化率曲线中，可以观测到磁化强度的阶跃现象，并能给出发生阶跃的临界磁场。高于4.2K温度后，铕离子在磁场下的磁行为更接近于顺磁性离子，且磁化强度的阶跃现象消失，表明Pb1-xEuxSe中铕离子之间的弱磁性交换相互作用强度J和单离子磁晶各向异性系数，具有不高于10K的数量级。磁性量理论的计算结果给出J的数值约为J/KB--10（-1）K。对Pb1-xEuxSe超低温测试和研究是必要的。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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