从数量级上提高n-型有机半导体电子迁移率的探索研究

有机电致发光器件中正负载流子的传输不平衡是制约器件发光效率和稳定性的主要原因之一。针对有机n-型材料的电子迁移率比p-型材料的空穴迁移率低几个数量级这一瓶颈问题，选用2-(2-羟基苯基)苯并噻唑锌(Ⅱ)为模型，采取理论计算与实验相结合的方法，在LUMO所在基团上引入吸电子性或供电子性取代基，以期适当降低LUMO能级，研究新材料的电子传输行为和电子迁移率，揭示分子结构因素影响分子能级以及电子迁移率的定性和定量规律，探寻有机半导体两种电荷迁移率相差悬殊的本质原因。探索性设计、制备金属离子位于主链上的新型配合物齐聚物和高聚物类电子传输材料，研究其电子传输性能，开辟电子传输材料的新物质形式，探索如何从数量级上提高n-型有机半导体的电子迁移率。本研究在丰富有机半导体基础理论、解决电子传输材料的瓶颈问题、推动有机电致发光平板显示技术产业化等方面具有重要意义。