PCVD合成金刚石膜过程中的反应粒子(基团)研究

项目A：用PCVD法制备金刚石厚膜，加工成10x10x0.36mm(3)热导率为10w/k cmCVD金刚石电子基板，解决了金刚石电子基板在混合集成电路中应用的金属化问题。对合成过程中等离子体进行在位研究。发现在合成金刚石的气压范围内等离子体中存在突跳多稳和负阻现象。获得基板附近电子温度密度和鞘电位分布及其对合成膜影响。发现CH，CH+及CH3共同参与金刚石生成反应，C2为非金刚石相生长粒子。项目B：在小型托卡马克装置上，研究了离子回旋频率慢波天线与等离子体相互作用时天线等离子体阻抗的变化。设计制作一台测量较小波数等离子体密度扰动的激光相衬成象系统。提出了利用单点探测的相衬成象系统获取窄谱等离子体外激发波扰动波数以及等离子体内禀的宽谱微湍流密度扰动的功率谱方法。