亚稳条件下金刚石膜生长中活性基团剪裁机理研究

首次采用高分辩电子能量损失谱研究了金刚石膜的生长机理，弄清了（111）面和（100）面生长机制，澄清了国际上的争论；得出并解释了晶面显露规律；研究了原子H和原子O在生长中的作用，提出了新的看法，对低温生长有重要意义；成功地进行了载能离子辅助室温下成膜的实验，为机理研究和应用提供新的途径。在异质衬底形核方面创造出低压形核法和Si(+)束浅层注入法，在光滑的Si表面获得高出度形核，得到国际同行的高度评价。在Si衬底上外延金刚石单晶膜，用HF-CVD法生长出高度取向的金刚石膜，并能生长出局域的外延膜，D（100）/Si(100)和D（111）/Si(100)。对D（100）膜与Si(100)的夹角和方位角我们从理论上给了很好的解释，D（111）膜的面积达5×5μ（2），是目前文献中最高水平。