低维K_群的理论及其应用

基本信息
批准号:19601009
项目类别:青年科学基金项目
资助金额:3.20
负责人:武同锁
学科分类:
依托单位:上海交通大学
批准年份:1996
结题年份:1999
起止时间:1997-01-01 - 1999-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:武同锁,王顶国,吴志祥
关键词:
模消去低维K群投射模
结项摘要

用脉冲电沉积方法成功地制备了纳米NiOx以及CoOx电角薄膜材料;提出了一种新的电沉积方法并已制备优质WO3薄膜。研究了NiOx,CoOx,WO3及其共沉积物和多层膜结构的制备及电色特性;研究了后处理方法对薄膜结构及电色特性的影响。所制备薄膜在可见光区均显示了良好的电致变色特性,光透过率调节范围大,变色速度快。实验中制备了着色/退色的开关速度为74毫秒的材料,比文献报道的水平大大提高。可见光区域内的透光率可在10%-80%的范围内调节。红外反射率调制幅度为10%-60%。老化实验显示,样品经过10,000次开关运行后,没有明显的衰退现象,为实际应用奠定了基础。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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