金刚石薄膜场发射特性的研究

基本信息
批准号:69676004
项目类别:面上项目
资助金额:10.00
负责人:朱长纯
学科分类:
依托单位:西安交通大学
批准年份:1996
结题年份:1999
起止时间:1997-01-01 - 1999-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:张生良,沈伯礼,刘卫东,李德昌,吴浩扬,张建奇,陈海浪,李天英,薛耀国
关键词:
金刚石薄膜多晶显示器
结项摘要

在大量实验研究的基础上,成功地在Si衬底上实现了大面积淀积金刚石薄膜,并得到了用于FED的金刚石薄膜的优化工艺条件。首次将神经网络应用于金刚石薄膜场发射特性的预测,并初步建立了用于预测的工艺参数和薄膜特性的数据库,实验证明该方法具有很好的准确性,可指导薄膜材料的研究。在平板显示应用方面,我们系统地研究了从器件封装、驱动电路到工作稳定性、显示器寿命等各个环节。驱动部分采用阳极驱动,使用叠加在一个直流电压上的50V的信号电压实现;采用离子注入工艺提高了薄膜场发射的一致性和均匀性。研制的3英寸FED样管在6V/μm的电场下即可稳定工作。碳纳米管阴极在3V/μm的电场下即可得到清晰的图象。获专利一项,发表论文42篇。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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