半金属低维体系的微结构和电子态研究

热蒸发方法在半导体Si（100）和Si（111）表面上生长半金属Bi，Sb 的低维体系（有序薄膜，纳米线，纳米点阵）；用HREED，LEED, STM表面分析手段对Bi,Sb低维体系的微结构进行测量研究；用XPS, UPS测量不同微结构的电子芯态、电子价态、能带弯曲、功函数变化，研究半金属低维体系能带与微结构的关系。探测与量子受限相关的电子态。通过超高真空的原位四探针法研究半金属低维体系的载流子的传导特性。对半金属低维体系的原子结构，电子状态与传输特性、生长机理的实验研究。对认识新型半金属低维材料的物理性质，和量子磁场电效应（Galvano-magnetic effect）器件的制备均有重要的科学意义