低维半导体结构的电子态和光学性质研究

采用第一性原理总能方法配合kp及紧束缚方法预言了一组ⅢⅤ、ⅡⅥ与Ⅳ族半导体组成的2维超晶格材料的光学性质。研究表明它们具有直接带隙特征特别适合于光电子器件的开发从头赝势法对硅锗碳/硅应变异质界面的电子结构首次进行了系统的能带工程研究。揭示了碳的应变补偿效应和对硅锗合金带隙和价带带阶的调制效应。这两组成果可直接应用于光电子材料和器件的设计和开发。用严格的数学方法论证并建立了光信息处理中的分数变换理论，导出任何维数下的分数富氏变换在几种坐标系下的积分和级数表示，定义了两个特殊的汉氏变换，给出分数汉氏变换的算子和积分表示及其性质。发展了快速计算汉氏变换的新途径和新方法并给出光学应用的实例。