氮化镓基量子异质结构和发光性质

以氮化物半导体低维异质结构，特别是InGaN/GaN量子阱为对象，开展氮化镓基低维半导体受限体系的发光机制研究。运用飞秒近场系统具有的飞秒时间分辨和纳米空间分辨的实验手段，分析GaN基低维量子结构的时间和空间上的四维超高分辨光谱，探讨半导体中载流子或激子的动态驰豫、辐射复合、缺陷捕获、扩散漂移等动力学过程；深入理解辐射复合和非辐射复合过程的物理本质；研究和揭示量子受限结构的光致发光机制、以及更复杂的电发光机制及影响电发光效率的关键因素，加深对量子阱中的电子－电子，电子－光子相互作用以及激光器激射机制的认识；充分优化我们已提出的新型氮化物应变量子阱发光结构；研究提高量子阱电致发光效率的新原理、新技术或新结构；并研究以此新型应变量子阱为有源区的GaN基激光器的阈值行为、模式特性及激射机制等。摸索出改善GaN基量子阱激光器量子效率的主要途径。为实现我国GaN基激光器的实用化作出贡献。