二元光学微结构GaN基发光器件研究
基本信息
批准号：60477011
项目类别：面上项目
资助金额：24.00
负责人：胡晓东
学科分类：
依托单位：北京大学
批准年份：2004
结题年份：2007
起止时间：2005-01-01 - 2007-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：张振生,康香宁,陈伟华,陆羽,王琦,阎和平,杨海艳
关键词：
氮化镓发光器件纳米模压增透性能二元光学
结项摘要
本项目结合衍射光学、半导体光电子学和低维物理的研究方法，针对当前GaN基多量子阱发光二极管（LED）存在的出光效率低，电流扩展欠佳，散热难等问题，逐一提出解决方案。运用表面纹理化，激光剥离，无支撑GaN基外延片，倒装焊等技术手段，研制新型的GaN基发光器件。特别是创新地提出了将二元光学微结构应用于GaN基量子阱LED。利用电子束曝光、聚焦离子束刻蚀、纳米模压等纳米微加工先进技术，设计制备具有聚焦、
项目摘要
项目成果
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暂无此项成果
数据更新时间：2023-05-31
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