氮化镓基LED材料发光机理的研究
基本信息
批准号：10474126
项目类别：面上项目
资助金额：30.00
负责人：陈弘
学科分类：
依托单位：中国科学院物理研究所
批准年份：2004
结题年份：2007
起止时间：2005-01-01 - 2007-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：汪洋,邢志刚,王晶,周忠堂,王晓晖
关键词：
氮化镓极化效应量子阱局域化效应
结项摘要
利用MOCVD在不同条件下、不同类型衬底上生长GaN材料和低维结构，获得同等局域化效应下的极性与非极性的GaN材料及量子阱结构，对比分析两者在各种光致荧光（光荧光谱，激发谱，吸收谱，调制吸收谱，激发谱，瞬态谱等）和电致荧光谱线结构的差异，分离极化效应和局域化效应，统计的系统研究极化效应和局域化效应具体对GaN量子阱发光效率的影响，探索GaN基LED的发光机理。弄清其发光本质将对指导GaN基LED材
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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