高迁移率长寿命SiC MISFET研究

研究高迁移率长寿命SiCMISFET核心技术一高质量栅介质及平坦、低界面态密度MIS界面的制备。将发展有效的SiC表面原位钝化技术、快速CVD淀积技术以及干/湿氧退火技术，并采用掠钡母春险そ橹式峁梗兄瞥龈叻葱凸档狼ㄒ坡屎统て骷倜黃iCMISFET原型样品。为其实用化奠定基础，对我国高温电子学、航空领域以及国防和军事工业将产业重要影响，应用前景广阔。