研究高迁移率长寿命SiCMISFET核心技术一高质量栅介质及平坦、低界面态密度MIS界面的制备。将发展有效的SiC表面原位钝化技术、快速CVD淀积技术以及干/湿氧退火技术,并采用掠钡母春险そ橹式峁梗兄瞥龈叻葱凸档狼ㄒ坡屎统て骷倜黃iCMISFET原型样品。为其实用化奠定基础,对我国高温电子学、航空领域以及国防和军事工业将产业重要影响,应用前景广阔。
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数据更新时间:2023-05-31
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无压低温烧结纳米银-铜连接SiC器件的高导热、长寿命封装互连方法
SiC空穴迁移率和光催化性能调控研究
长寿命高界面结合强度生物活性表层研究
纳米栅高电子迁移率晶体管的研究