高迁移率长寿命SiC MISFET研究

基本信息
批准号:60176030
项目类别:面上项目
资助金额:21.00
负责人:徐静平
学科分类:
依托单位:华中科技大学
批准年份:2001
结题年份:2004
起止时间:2002-01-01 - 2004-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:郑远开,刘刚,王宁章,高俊雄,颜冲,余志文
关键词:
场效应晶体管栅介质碳化硅
结项摘要

研究高迁移率长寿命SiCMISFET核心技术一高质量栅介质及平坦、低界面态密度MIS界面的制备。将发展有效的SiC表面原位钝化技术、快速CVD淀积技术以及干/湿氧退火技术,并采用掠钡母春险そ橹式峁梗兄瞥龈叻葱凸档狼ㄒ坡屎统て骷倜黃iCMISFET原型样品。为其实用化奠定基础,对我国高温电子学、航空领域以及国防和军事工业将产业重要影响,应用前景广阔。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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