小尺寸超薄叠层高k栅介质Si/Ge MOSFET研究
基本信息
批准号：60576021
项目类别：面上项目
资助金额：7.00
负责人：徐静平
学科分类：
依托单位：华中科技大学
批准年份：2005
结题年份：2006
起止时间：2006-01-01 - 2006-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：陈卫兵,王宁章,张丽娜,邹晓,季峰,余柏林,李艳萍,王虎
关键词：
MOSFET叠层高k栅介质界面层氮化Si/Ge金属氧化物
结项摘要
研究低漏电高性能小尺寸Ge基MOSFET的核心技术- - 新型超薄HfO2/HfOxNy叠层高k栅介质的制备方法和技术。从抑制低k界面GeOx生长的关键问题入手，重点研究超薄氮化HfOxNy界面层的制备技术以及低温快速热退火技术，并对界面层中氮氧含量进行最佳化研究，以获得高稳定低界面态密度的介质/Ge界面。同时利用较厚的HfO2层有效抑制栅极漏电。将研究反应DC磁控溅射法制备上述栅介质的最佳工艺和
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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