纳米栅高电子迁移率晶体管的研究

按合同要求开展了70-150纳米栅加工技术的研究。分别用光学、电子束、X射线三种曝光方法获得了100纳米左右的栅窗口图形；提出并研究了一种我们称为“边栅法”的制备纳米栅线条的新方法，并用这一方法和与之相适应的工艺技术成功地研制出100纳米T型栅高电子迁移率晶体管，其跨导为440mS/mm，截止频率fT=57.8GHg。它由G线接触曝光机制成。这种技术可以用低成本高效率生产微波和毫米波器件，将为移动通信，光纤通信电路的研制生产起促进作用；我们还提出了一种新的砷化镓欧姆接触合金系统（In/AuGe Ni/Ag/Au），使接触电阻率下降近一个数量级且表面形貌显著改善；我们还模索用双质子（2H（+））注入隔离和反转光刻剥离取得成功，解决了主要工艺问题。