空间有序量子点阵列的分子束外延生长及其机理研究

低维纳米结构如量子线、量子点等是新型的人造结构，具有许多新颖的丰富的光学及电学等物理性质，并有很强的器件应用前景。目前所用的制造方法的特点是生长的量子线量子点尺寸大小的不均匀性以及空间分布的无规则性，这些特点一直是对其基础物理特性研究以及器件应用中的瓶颈。本项目的研究内容是实现量子点的均匀生长和空间有序排列阵列的控制及其生长机理的探索。我们准备应用分子束外延（MBE）技术，利用所谓自组织的应变工程，通过调节应变、生长温度、生长速率、V-III比等条件得到不仅纵向有序而且横向有序的量子点阵列，并研究其光学等物理性质。该申请是在本课题人员以前的相关工作基础上进行的，准备研究GaAs基低指数面和高指数面衬底上量子点有序生长和均匀性控制的差异，实现三维空间有序排列的量子点阵列结构，并探索获得新的具有更加复杂横向有序结构的量子点阵列的可能性。