半导体近红外光电子材料中的深能级缺陷

基本信息
批准号:69276025
项目类别:面上项目
资助金额:3.50
负责人:黄启圣
学科分类:
依托单位:厦门大学
批准年份:1992
结题年份:1995
起止时间:1993-01-01 - 1995-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:康俊勇,郑家镇,吴正云,余辛,陈世帛
关键词:
***
结项摘要

用深能级瞬态谱DLTS、深能级光电容谱PHCAP等方法,对两种近红外(1.5μm左右)半导体光电子材料,即高Cd组分的HgCdTe及InGeAsP/InP中的深能级缺陷进行实验研究,着研究禁带中央附近的深能级性质及其可能结构:(1)对Cd组分为0.50、0.60、0.65的实用HgCdTe光电器件,得到两个位于禁带中央附近,即导带下0.4Eg及0.6Eg的深能级,其浓度低,电子俘获截面10(-16)cm(2)。根据分析,它们可能来源于材料的本征缺陷,即Hg间隙缺陷HgI和碲反位缺陷TeHg,(2)对用液相外延方法并与衬底InP匹配的InGaAsP P+n结构面,得到位于导带下0.1eV的浅能级,即为Te施主,部分样品中出现浓度低,位于导带下约0.6eV的深能级。上述表明,两种实用器件均有较高质量,主要深能级浓度低。部分工作尚待今后继续进行。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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