用深能级瞬态谱DLTS、深能级光电容谱PHCAP等方法,对两种近红外(1.5μm左右)半导体光电子材料,即高Cd组分的HgCdTe及InGeAsP/InP中的深能级缺陷进行实验研究,着研究禁带中央附近的深能级性质及其可能结构:(1)对Cd组分为0.50、0.60、0.65的实用HgCdTe光电器件,得到两个位于禁带中央附近,即导带下0.4Eg及0.6Eg的深能级,其浓度低,电子俘获截面10(-16)cm(2)。根据分析,它们可能来源于材料的本征缺陷,即Hg间隙缺陷HgI和碲反位缺陷TeHg,(2)对用液相外延方法并与衬底InP匹配的InGaAsP P+n结构面,得到位于导带下0.1eV的浅能级,即为Te施主,部分样品中出现浓度低,位于导带下约0.6eV的深能级。上述表明,两种实用器件均有较高质量,主要深能级浓度低。部分工作尚待今后继续进行。
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数据更新时间:2023-05-31
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