高阻半导体中辐射缺陷深能级的检测与分析

建立了改进型的半绝缘材料的Hall测量系统，为半绝缘砷化镓电学参数测量提供准确可靠数据，其相对偏差小于百分之一。建立一套新型的热激电流（TSC）与热电效应谱（TEES）装置，开展了半绝缘砷化镓和中子辐照高阻硅的深能级的检测与识别工作。为半绝缘砷化镓材料质量提供有效判据。与美国Brookhaven国家实验室合作，开展了中子辐照高阻硅有深能级检测和硅粒子探测器的束感生电流的观察与研究。建立了半导体少子扩散长度测量的电子束位置扫描与电压扫描的束感生电流法，可进行短扩散长度与超短扩散长度的测量，成功地用于磷化镓等发光材料的测量。开发了国内唯一的低温EBIC装置，成功地用于红外探测器的检测工作。本项目其间共发表文章13篇。