纳电子器件中超低k多孔SiCOH薄膜的ECR等离子体加工及相关复杂性研究

几十纳米特征线宽的纳电子器件需要使用低介电常数小于2（即超低k）的介质薄膜作层间绝缘，硅基薄膜具有优异的热稳定性，与现有微电子工艺相容,如果在该种材料中引入纳米孔（< 2 nm）形成多孔复合结构就可以降低k值.但是纳米孔的引入带来一系列新问题，如多孔体系的介电性质、吸湿性、电击穿、杂质扩散等。需要开展与纳米孔相关的物理问题研究及表面处理技术的探索，等离子体技术将有重要的应用。本课题将研究SiCOH薄膜的ECR等离子体沉积与纳米微孔的形成机理和控制；等离子体处理对多孔体系的抗湿性能及防铜扩散性能的改善；多孔薄膜的等离子体刻蚀性能；多孔介质的介电性质表征方法及超低k电介质物理学。.掌握具有自主知识产权的多孔SiCOH超低k介质薄膜材料制备和分析技术是纳电子器件研究的核心课题之一。