SiGe/Si异质结超高速微电子和红外光电子的器件和集成

在对Si/SiHBT进行了大量物理分析、模拟计算的基础上，提出了量子阱输运的新构想。通过器件结构优化设计与实验研究改进器件性能，研究出使SiGe/Si腐蚀速率比达30的腐蚀停止技术。同时通过使用侧壁氧化隔离时自对准工艺，进一步降低了Ro的数值。大大降低了噪声，进一步提高了Fmax。我们以上述工作为基础在3μm工艺线上研制出的SiGe/SiHBT，其fT≥10GHg，漏电流Iceo≤10nA，低温（FFK）β=1000-1000，室温（300K）β=30-300，Earty电压≥500V，最高振荡频率fmax＞4GHG。所有性能指标均处于国内领先水平，部分指标（如低温β、漏电流、Early电压等）达到当前国际先进水平。