分析国内外中远红外探测的问题,提出半导体异质结构光电子弹道飞行,高场输运和高速红外探测机理。采用GaAlAs/Ga/As材料系设计计算模拟并实验研究出完全新型的中远红外探测器。具备高暗电阻、低暗电流、高探测率与高响应速度的特点。研制出两种实验器件:一种具有大带宽,实测为5-11μm,另一种为电压可调,当电压由0.3-1.3v,其响应峰值为13-9μm。新型的8-14μm红外探测器的室温阻值高达10(6)-10(7)Ωcm(2),暗电流低至10(-8)A/cm(2)(300K),在77K性能更佳,此性能比当前国内外水平有数量级的提高。此新机理与器件可使用其它材料系,如SiGe/Si等硅基材料系。本课题成果具有较高的科学水平与实用价值。
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数据更新时间:2023-05-31
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