新型高效大功率半导体激光器的机理及器件研究

从理论到实验上提出并验证了新型高效大光腔半导体激光器机理，从根本上解决了阻碍大功率半导体激光器功率提高的障碍：电热烧毁和光学端面灾变性毁坏，改善了半导体激光器的光束质量。优化设计并采用MQCVD设备生长了有自主知识产权的多有源区遂道级联半导体激光器。其中4有源区半导体激光器量子效率达到2.2，斜率效率达到2.4W/A,2A工作电流下功率达4.0W。并在国际上首次实现了遂道级联激光器的基模激射，制备了垂直发散解为17度的器件。将此机理应用到高效高亮度发光管，在小电流下得到高亮度。在研究中，积累了材料生长、后工艺制作的经验，锻练了科研队伍，为今后的工作奠定了基础。