新型高效大功率半导体激光器的机理及器件研究

基本信息
批准号:69776033
项目类别:面上项目
资助金额:18.00
负责人:沈光地
学科分类:
依托单位:北京工业大学
批准年份:1997
结题年份:2000
起止时间:1998-01-01 - 2000-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:杜金玉,刘宝权,陶长宝,杜春霞,冯士维,殷涛,廉鹏
关键词:
半导体激光器高效大功率机理
结项摘要

从理论到实验上提出并验证了新型高效大光腔半导体激光器机理,从根本上解决了阻碍大功率半导体激光器功率提高的障碍:电热烧毁和光学端面灾变性毁坏,改善了半导体激光器的光束质量。优化设计并采用MQCVD设备生长了有自主知识产权的多有源区遂道级联半导体激光器。其中4有源区半导体激光器量子效率达到2.2,斜率效率达到2.4W/A,2A工作电流下功率达4.0W。并在国际上首次实现了遂道级联激光器的基模激射,制备了垂直发散解为17度的器件。将此机理应用到高效高亮度发光管,在小电流下得到高亮度。在研究中,积累了材料生长、后工艺制作的经验,锻练了科研队伍,为今后的工作奠定了基础。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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