半导体低温器件和电路

基本信息
批准号:69236010
项目类别:重点项目
资助金额:60.00
负责人:魏同立
学科分类:
依托单位:东南大学
批准年份:1992
结题年份:1996
起止时间:1993-01-01 - 1996-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:郭维廉,张安康,孔德平,冯耀兰,郑茳,钱佩信,郑云光,梁惠来,张继盛
关键词:
**
结项摘要

本项目主要成果包括:(1)通过深入细胞的理论研究,获得了关于半导体低温器件与电路比较清晰的物理图像;(2)系统研究了低温模拟及分析技术,开发出实用化的低温双极器件模拟分析软件;(3)研制出77KF增益大于200以及噪声达lnV/Hz的不同类型双极器件和性能优良的CMOS器件;(4)发展了低温ECL电路和CaCoS/BicMOS电路的设计技术,研制出性能优于CMOS的BMHMT结构BiCMOS环形振荡器和放大器等电路结构,并进行了初步的BMHMT噪声和热载流子效应的研究;(5)对高温超导/半导兼容材料的制备及其在微电子系统中的应用进行了理论研究,提出了Si衬底上BSL-CO超导膜的螺旋式核生长机理,并用溅射方法制作了较高质量的BSCCO/YSZ/Si兼容材料。

项目摘要

项目成果
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暂无此项成果

数据更新时间:2023-05-31

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