半导体器件与电路的“响应型”损伤机理与实验研究

基本信息
批准号:60776034
项目类别:面上项目
资助金额:30.00
负责人:柴常春
学科分类:
依托单位:西安电子科技大学
批准年份:2007
结题年份:2010
起止时间:2008-01-01 - 2010-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:陈建春,任保文,汤建龙,张骥,曹寒梅,马涛
关键词:
薄弱环节损伤机理响应型损伤器件与电路固有特性
结项摘要

本项目从器件与IC的结构特点、寄生效应、固有特性和薄弱环节分析入手,结合现代信号分析技术(信号能量、功率与功率谱分析等),得到具有明确针对性的、以器件与IC固有特性和薄弱环节的"响应型"和"敏感型"损伤为特征的注入信号样式(包括频率、脉宽、电平、重频与调制方式等),通过特殊信号样式的注入损伤实验,研究获得器件与IC的"响应型"功率-频率损伤效应及损伤机理。.本项目的研究方法和作用机制与传统的单纯依靠电平功率作用下的损伤机理和可靠性研究方法有着本质的区别,它直接针对了制约器件和电路可靠性提高的最脆弱"瓶颈",是目前国内外可靠性研究的崭新领域,属本项目首创,因而有着重要的科学意义、学术意义和实用价值。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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