高温微电子器件和电路

提出宽温区高温MOS器件和电路和优化设计理论，建立体硅和常用导电类型SOIMOS器件和电路特性参数的高温模型，设计并研制出在（25-250℃）宽温区性能良好的高温MOS器件和电路及在（25-300℃）宽温区性能良好的SOL MOS器件和电路，实用化方面进行了有益的探索。采用自行研制的射频磁控溅射系统，制备出化学配比较理想的SiC薄膜，退火对SiC纳米化有决定性作用，得到纳米SiC的蓝紫光发射，用量子尺寸限制模型解释了间接带隙SiC向直接带隙转变的可能 性，发现Si截止面只可激活一阶声子，C截止面同时可激活一、二、三阶声子，激活声子的频率与表面结构和成分无关。采用自主研制的我国第一台兼有MBE和CVD特点的MBE系统进行SiC异质和同质外延生长，研究NH3和B2H6为掺杂剂的n型和p型SiC掺杂技术，实现导电类型可控的n型p型SiC材料，进行pn结二极管和肖特基二极管试制以及MSFET功率器件基础工艺研究，取得突破性进展。本项目的完成为我国高温微电子技术可持续发展奠定了基础。