氮掺杂p型MgZnO合金薄膜的制备、应用及相关物理问题研究

利用等离子体辅助分子束外延技术生长氮掺杂p型MgZnO薄膜,采取NO/Ar混合气体为生长气体和高压后热处理方法提高N的有效p型掺杂和薄膜的晶体质量；通过理论计算和实验测量给出氮在MgZnO中的掺杂浓度、形态和能级，研究它们随MgZnO的Mg含量和结构的变化规律和热力学机制，及对电学性能的影响和机理；精确测量p型MgZnO的界面晶格失配和热失配应力，阐明应力对薄膜质量和光电性能的影响规律和机制，及减小应力的方法和技术；表征p型MgZnO表面结构和电子状态，研究它们对p型导电及其稳定性的影响，阐明影响稳定性的主要因素和机制；研究影响p型MgZnO电阻率、载流子浓度和迁移率的物理因素，规律和机制，探索制备低电阻率、高载流子浓度p型MgZnO的方法和工艺；以MgZnO为垒层，设计和制备双异质结和量子阱型ZnO基紫外发光二极管，研究其光电性能和晶体质量对发光波长，强度和量子效率的影响规律和机制。