SOI高压横向电导调制器件的He生微孔局域寿命控制
基本信息
批准号：60076030
项目类别：面上项目
资助金额：17.00
负责人：李肇基
学科分类：
依托单位：电子科技大学
批准年份：2000
结题年份：2003
起止时间：2001-01-01 - 2003-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：赵建明,方健,张正番,李鸿雁,刘启宁,季晓宇,阎斌
关键词：
SOIHe生微孔局域寿命控制
结项摘要
首次将He生微孔局域寿命控制技术应用于SOI电导调制横向功率MOS器件。引入有效寿命概念，建立He生微孔局域寿命控制电导调制功率MOS器件的静态和瞬态响应模型。借助非准静态湓死砺郏竦闷渌蔡煊μ匦约溆肫骷问涞墓叵怠＞荽四Ｐ脱兄瞥隹厮俣仍?.3～0.5us、耐压为300～600V含有局域寿命控制的SOI LIGBT器件。此项研究普适于电导调评喙β势骷
项目摘要
项目成果
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暂无此项成果
数据更新时间：2023-05-31
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