高压SOI复合结构耐压层击穿机理
基本信息
批准号：60276040
项目类别：面上项目
资助金额：14.00
负责人：李肇基
学科分类：
依托单位：电子科技大学
批准年份：2002
结题年份：2004
起止时间：2003-01-01 - 2004-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：方健,罗萍,张正璠,季晓宇,罗小蓉,杨舰,李泽宏,郭宇锋,罗卢扬
关键词：
SOI器件击穿电压界面电荷耐压模型
结项摘要
在国际上首次提出高压SOI器件空穴槽复合结构耐.压.层，并提出界面电荷耐压模型，将空ň钟蛴贗层硅.侧，满足电位移全连续性，使I层内电场超过迄今习.用的3倍硅极限电场而达到理论值，突破普通SOI器.件耐压极限。在.I层厚度为3um时耐压.可达2100V.，.未见报道Ｊ瞧袼睦硐肽Ｐ汀１鞠钅烤哂衅?适性，为与国际水平同步研究，具有重要意义。.......
项目摘要
项目成果
{{index+1}}
{{i.achievement_title}}
{{i.achievement_title}}
DOI：{{i.doi}}
发表时间：{{i.publish_year}}
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数据更新时间：2023-05-31
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