高压SOI复合结构耐压层击穿机理
基本信息
批准号：60276040
项目类别：面上项目
资助金额：14.00
负责人：李肇基
学科分类：
依托单位：电子科技大学
批准年份：2002
结题年份：2004
起止时间：2003-01-01 - 2004-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：方健,罗萍,张正璠,季晓宇,罗小蓉,杨舰,李泽宏,郭宇锋,罗卢扬
关键词：
SOI器件击穿电压界面电荷耐压模型
结项摘要
在国际上首次提出高压SOI器件空穴槽复合结构耐.压.层，并提出界面电荷耐压模型，将空ň钟蛴贗层硅.侧，满足电位移全连续性，使I层内电场超过迄今习.用的3倍硅极限电场而达到理论值，突破普通SOI器.件耐压极限。在.I层厚度为3um时耐压.可达2100V.，.未见报道Ｊ瞧袼睦硐肽Ｐ汀１鞠钅烤哂衅?适性，为与国际水平同步研究，具有重要意义。.......
项目摘要
项目成果
{{index+1}}
{{i.achievement_title}}
{{i.achievement_title}}
DOI：{{i.doi}}
发表时间：{{i.publish_year}}
暂无此项成果
数据更新时间：2023-05-31
其他相关文献
1
粗颗粒土的静止土压力系数非线性分析与计算方法
粗颗粒土的静止土压力系数非线性分析与计算方法
DOI：10.16285/j.rsm.2019.1280
发表时间：2019
2
中国参与全球价值链的环境效应分析
中国参与全球价值链的环境效应分析
DOI：10.12062/cpre.20181019
发表时间：2019
3
基于公众情感倾向的主题公园评价研究——以哈尔滨市伏尔加庄园为例
基于公众情感倾向的主题公园评价研究——以哈尔滨市伏尔加庄园为例
DOI：
发表时间：2022
4
基于细粒度词表示的命名实体识别研究
基于细粒度词表示的命名实体识别研究
DOI：10.3969/j.issn.1003-0077.2018.11.009
发表时间：2018
5
货币政策与汇率制度对国际收支的影响研究
货币政策与汇率制度对国际收支的影响研究
DOI：
发表时间：2022
李肇基的其他基金
批准号：69376031
批准年份：1993
资助金额：5.00
项目类别：面上项目
批准号：60436030
批准年份：2004
资助金额：180.00
项目类别：重点项目
批准号：69576005
批准年份：1995
资助金额：12.00
项目类别：面上项目
批准号：60076030
批准年份：2000
资助金额：17.00
项目类别：面上项目
相似国自然基金
1
超高压SOI器件的界面电荷岛耐压模型与新结构
批准号：61674027
批准年份：2016
负责人：乔明
学科分类：F0404
资助金额：62.00
项目类别：面上项目
2
基于屏障效应的气固复合绝缘系统工频耐压特性及击穿机理研究
批准号：51607041
批准年份：2016
负责人：郑跃胜
学科分类：E0705
资助金额：21.00
项目类别：青年科学基金项目
3
基于SOI的横向SJ等效耐压层理论及新结构
批准号：61306094
批准年份：2013
负责人：吴丽娟
学科分类：F0404
资助金额：25.00
项目类别：青年科学基金项目
4
新型低k介质埋层SOI功率器件耐压理论与新结构
批准号：60976060
批准年份：2009
负责人：罗小蓉
学科分类：F0404
资助金额：42.00
项目类别：面上项目