单片功率系统集成（PSoC）的基础理论和技术研究

在功率微电子新领域，提出单片功率系统集成PSoC概念，对其基础理论和技术进行创新性研究，提供解决关键问题的科学方法。研究两项创新理论：1.在国际上首次提出全新调制模式-脉冲跨周期调制PSM系统理论。包括状态空间平均理论、模糊PSM理论、非线性PSM理论，为其电路控制奠定理论基础。2.首次提出PSoC功率DMOS耐压模型和参数模型。耐压模型第一次从理论上揭示硅基和SOI基RESURF耐压机理的同一性。这是所见报道的理想模型,使SOI基埋氧层耐压突破习用90V/μm增到300V/μm，为其功率DMOS器件奠定基础；一项创新技术：研究基于PSoC系统级设计的LDMOS功率器件IP建库基础技术；一个PSoC单片系统：在上述理论指导下设计研制耐压100V级且含有MPU控制、传感、大功率驱动和电源的通用型PSoC。并研究1000V级单片功率电路。本研究系与国际水平同步的基础性和超前性研究，意义重大。