深亚微米集成电路超浅结制备工艺模拟及计算机辅助设计
基本信息
批准号：60206004
项目类别：青年科学基金项目
资助金额：12.00
负责人：于民
学科分类：
依托单位：北京大学
批准年份：2002
结题年份：2004
起止时间：2003-01-01 - 2004-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：黎明,施晓康,黄如,刘金华,石浩,张兴
关键词：
计算机辅助工艺设计离子注入与退火原子模型
结项摘要
通过分子动力学模拟低能离子注入及原子模型模拟高温瞬态退火，研究形成超浅结的工艺难点，包括硼化物瞬态增强扩散、高浓度低激活等，在理论上进行分析，提出新的工艺方案。同时，建立一个实用的三维TCAD软件，用于指导超浅结制备的工艺设计。由此实现对深亚微米集成电路的关键工艺之一即超浅结的制备提供理论指导及计算机辅助设计。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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