超深亚微米集成电路铜互连可靠性研究

深亚微米集成电路技术的发展，带来了芯片内部的高互连密度、高工作频率和高电流密度，与此对应，铜互连布线系统的可靠性逐渐成为深亚微米芯片可靠性的关键问题之一。本项目旨在结合实验样品的设计、测量与分析，深入研究铜互连线(包括通孔)的电迁移、热效应、介电应力等问题，对以上问题的失效机理、表征与测量方法进行系统研究，结合样品实测结果和计算机仿真实验，建立铜互连失效的实验与理论协调模型，以期对高可靠铜互连系统的设计起到相应的指导作用。