采用改进的智能剥离技术以LiTaO3为主要对象,研究氢、硼氢共注入、以及氦氢共注入和后续热处理对气泡层形成的影响和内部应力行为,通过优化注入与热处理条件,实现单晶薄层的分离。研究L.TaO3为代表的压电、铁电等单晶材料与硅的键合,进而实现LiTaO3薄层的智能剥离与转移,获得LiTaO3/Si新材料,为系统集成特别是光电子集成提供新技术依据。.
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数据更新时间:2023-05-31
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