硅上β-FeSi2的超高真空镀膜外延及其光学性质研究

β-FeSi2是一种新型半导体材料。本项目在其外延生长、微结构、光学性质等方面取得如下结果：（1）提出反应沉积外延动态模型，独创反应沉积固相外延，改进了共沉积方法，得到具有较高晶体质量的外延薄膜；（2）采用内转换穆斯堡尔谱发现在Si（111）上存在几种等价的外延关系（3）在国际上首次获得其吸收边附近的光调制反射谱，给出它为直接带隙的实验证据并发现杂质带的存在；（4）研究它的红外吸收和晶格振动谱；（5）开展了FeSi2中掺Co、Ni的研究工作并发现它与不同的生长过程有关。该项目研究对进了解β-FeSi2及其相关硅化物的生长机制，高质量β-FeSi2薄膜在硅上的外延，能带结构和光学性质具有重要的理论意义和学术价值。