p-型CuI/窄带隙半导体薄层/n-型氧化物纳米线异质结固态太阳电池材料与器件

利用化学液相沉积方法在透明电极表面制备n-型氧化物半导体（ZnO、TiO2）纳米线阵列，并在氧化物半导体纳米线表面共轴沉积厚度为纳米量级的窄带隙半导体（CdS、CdSe）光吸收层。优化纳米线阵列和窄带隙半导体薄层的制备条件以获得有良好光吸收性质的极薄光吸收层/氧化物纳米线光电极。结合光电化学和发光光谱等研究手段分析CdS和CdSe极薄光吸收层的厚度以及晶粒尺寸等对其敏化ZnO和TiO2纳米线的量子效率的影响。在此基础上，向极薄光吸收层/氧化物纳米线光电极中填充p-型CuI材料并完成异质结固态太阳电池器件的制备。利用电流-电压测试、外部量子效率测试、阻抗分析等手段研究器件的组成和结构、CuI的填充方法、以及退火后处理等因素对器件性能的影响。为研制高太阳能转化效率的极薄层窄带隙半导体敏化异质结型固态太阳电池器件奠定基础。