新型抑制叶轮机气动弹性失稳措施的机理研究

本项目对未来第二次电子革命有重要影响的RECURF技术及器件发展中的关键问题，从理论和实验两方面进行了研究。在理论方面，通过研究，我们找到了REURF器件重要特性参数-导通电阻与器件设计参数（结构几何参数、物理参数等）之间的定量关系。并进而建立起了RECURF器件的优化设计理论和方法。在实验方面，我们在7-8μm存的外延层上，采用常规低压集成电路工艺，成功地设计并研制出了具有国际先进水平（目前国外实验水平）的高压（耐压在1000V以上）RECURF器件。上述理论和实验成果，对RECURF技术和HVIC的发展和进步都有重要的意义。