基于硅纳米孔柱阵列的CdS/Si异质结阵列的结构调控与光电特性研究

对硅基复合纳米体系的构建技术、物理特性尤其是光电特性的研究具有重要的科学价值和实际意义。在前期预研中，我们采用水热技术制备出一种具有分明的三重层次结构的硅微米/纳米结构复合体系，硅纳米孔柱阵列（Si-NPA），并通过多相化学反应法实现了CdS等II-VI族化合物半导体在其上的位置选择性沉积，获得了一种大面积均匀、规则的半导体异质结阵列（CdS/Si-NPA）。在此基础上，本项目拟通过改变制备条件实现对CdS/Si-NPA的微观结构进行调控，并对其积分光反射，光致、电致发光，光伏效应、C-V、I-V、R-T特性曲线等光电特性进行研究,对CdS/Si-NPA的起始电压、反向击穿电压、反向饱和电流等整流特性及其性能稳定性与制备条件的关系作出表征并作出相关的理论计算与分析，对体系上述物理特性的内在机制做出探索，为其在光致发光材料、发光二极管阵列以及太阳电池等领域的可能应用积累知识基础。