离子束混合形成自对准硅化物工艺在VLSI中的应用
基本信息
批准号：68876219
项目类别：面上项目
资助金额：3.00
负责人：殷士端
学科分类：
依托单位：中国科学院半导体研究所
批准年份：1988
结题年份：1990
起止时间：1989-01-01 - 1990-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：林惠旺,叶敏
关键词：
离子注入自对准硅化物
结项摘要
项目摘要
项目成果
{{index+1}}
{{i.achievement_title}}
{{i.achievement_title}}
DOI：{{i.doi}}
发表时间：{{i.publish_year}}
暂无此项成果
数据更新时间：2023-05-31
其他相关文献
1
内质网应激在抗肿瘤治疗中的作用及研究进展
内质网应激在抗肿瘤治疗中的作用及研究进展
DOI：10.3969/j.issn.1001-1978.2021.12.004
发表时间：2021
2
线粒体自噬的调控分子在不同病生理 过程中的作用机制研究进展
线粒体自噬的调控分子在不同病生理 过程中的作用机制研究进展
DOI：10.3969/j.issn.1007-6948.2019.05.044
发表时间：2019
3
吉祥草活性成分RCE-4与塞来昔布联合应用抗宫颈癌Ca Ski细胞增殖效果与机制研究
吉祥草活性成分RCE-4与塞来昔布联合应用抗宫颈癌Ca Ski细胞增殖效果与机制研究
DOI：10.16438/j.0513-4870.2021-0004
发表时间：2021
4
基于结构光视觉引导的工业机器人定位系统
基于结构光视觉引导的工业机器人定位系统
DOI：10.3788/aos201636.1015001
发表时间：2016
5
基于时间反演的全双工自干扰消除研究
基于时间反演的全双工自干扰消除研究
DOI：10.13245/j.hust.191104
发表时间：2019
殷士端的其他基金
批准号：68976022
批准年份：1989
资助金额：3.00
项目类别：面上项目
相似国自然基金
1
离子束轰击形成金属硅化物的研究
批准号：58670263
批准年份：1986
负责人：李文治
学科分类：E01
资助金额：3.00
项目类别：面上项目
2
超薄可控金属硅化物的形成工艺及机理研究
批准号：61176090
批准年份：2011
负责人：吴东平
学科分类：F0406
资助金额：60.00
项目类别：面上项目
3
沟道离子束合成法实现稀土硅化物的形成及其特性研究
批准号：19775001
批准年份：1997
负责人：姚淑德
学科分类：A30
资助金额：11.00
项目类别：面上项目
4
纳米级自对准双栅CMOS器件的结构和工艺研究
批准号：60276022
批准年份：2002
负责人：徐秋霞
学科分类：F04
资助金额：30.00
项目类别：面上项目