半导体异质结的结构特性对沟道离子运动影响的研究
基本信息
批准号：68976022
项目类别：面上项目
资助金额：3.00
负责人：殷士端
学科分类：
依托单位：中国科学院半导体研究所
批准年份：1989
结题年份：1992
起止时间：1990-01-01 - 1992-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：殷士端,朱沛然,肖光明
关键词：
沟道离子异质结
结项摘要
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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