利用能带工程研究、设计GaAs上新型的欧姆接触

利用能带工程理论，研究、设计和制备了GaAs上In基合金的新型欧姆接触。首次采用高熔点的NiIn合金休替金属In靶，在n（+）-GaAs外延层上用超高真空电子束溅射技术制备出Ni/NiIn/Ge/n（+）GaAs/GaAs的多层结构。经快速退火，在700℃10s的条件下，形成了相当均匀的InGaAs界面层，从而得到1.5（±0.5）×10(-6)Ω.cm(2)的低接触电阻，而且样品在400-450℃的高温下长时间退火后，性能仍然稳定。这一结果已相当接近目前国际上报导过的最高水平。这种新型结构的欧姆接触，克服了传统的AuGeNi体系具有的缺点，可以满足亚微米高速器件的应用要求。这一研究在某种程序上填补了国内在这一方面的空白。