利用能带工程研究、设计GaAs上新型的欧姆接触
基本信息
批准号：69376010
项目类别：面上项目
资助金额：6.00
负责人：丁孙安
学科分类：
依托单位：中国科学院半导体研究所
批准年份：1993
结题年份：1996
起止时间：1994-01-01 - 1996-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：金高龙,何杰
关键词：
化合物半导体欧姆接触能带工程
结项摘要
利用能带工程理论，研究、设计和制备了GaAs上In基合金的新型欧姆接触。首次采用高熔点的NiIn合金休替金属In靶，在n（+）-GaAs外延层上用超高真空电子束溅射技术制备出Ni/NiIn/Ge/n（+）GaAs/GaAs的多层结构。经快速退火，在700℃10s的条件下，形成了相当均匀的InGaAs界面层，从而得到1.5（±0.5）×10(-6)Ω.cm(2)的低接触电阻，而且样品在400-450℃的高温下长时间退火后，性能仍然稳定。这一结果已相当接近目前国际上报导过的最高水平。这种新型结构的欧姆接触，克服了传统的AuGeNi体系具有的缺点，可以满足亚微米高速器件的应用要求。这一研究在某种程序上填补了国内在这一方面的空白。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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