光纤锥基微柱结构CsI(Tl)闪烁转换屏的研究

具有微柱结构CsI(Tl)闪烁转换屏的研究对于发展高分辨率X射线成像探测器件具有十分重要的意义。然而，目前在CsI(Tl)转换屏的制备中对微柱的结构和排列尚缺乏完善的调控手段，转换屏的基片厚度也在相当的程度上影响着器件空间分辨率的提高。本项目拟采用真空和气氛热蒸发方法，结合薄膜生长理论，通过制备工艺的摸索，直接在光纤锥基底上获得具有微柱结构的CsI(Tl)闪烁转换屏；在此基础上，通过基底温度、蒸发速率、掺杂方式的调控，引入气氛调节工艺，结合X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、微量元素分析、转换屏闪烁性能和空间分辨率等的测量，系统地研究CsI(Tl)闪烁转换屏微结构、掺杂元素分布、闪烁性能和成像空间分辨率等与制备工艺的关系，获得控制和优化转换屏微柱结晶性能、形貌、排列状况以及掺Tl含量和分布均匀性等的有效方法，以期在提高CsI(Tl)闪烁转换屏空间分辨率的研究方面取得新的突破。