ＰｂＷＯ4晶体发光和辐射损伤机理的研究

从理论上研究了PBWO4晶体的电子结构，首次成功地解释了晶体的反射谱实验，推翻了晶体的4.17eV发光激发峰由Pb6s→6p跃迁引起的观点。系统地进行了正常化学配比、丰Pb0和丰WO3、真空和氧退火处理以及不同掺杂情况下PbWO4晶体微观缺陷、电子结构及其发光和辐射损伤的理论和实验研究，率先从实验上直接证明了晶体中存在有铅空位、Pb^、氧空位0^和F^等缺陷，提出晶体的绿色发光产生于铅空位诱导的WO3+0^；而辐射损伤主要由氧空位和F^芯引起，否定了以往人们普遍认为由Pb^和 0^引起的观点。通过对大量掺杂PbWO4晶体的系统研究，提出Y(3+)等掺杂离子有利于晶体抗辐射性能的提高和慢成分绿光的抑制，在晶体生长中得到了很好的应用，晶体性能显著提高，达到了CERN的要求。