半导体大晶格失配外延的缺陷阻挡技术研究
基本信息
批准号：59902013
项目类别：青年科学基金项目
资助金额：12.00
负责人：陈弘
学科分类：
依托单位：中国科学院物理研究所
批准年份：1999
结题年份：2002
起止时间：2000-01-01 - 2002-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：李永康,彭长四,李志强,刘洪飞,林建明,万里
关键词：
缺陷半导体失配外延
结项摘要
用低温生长技术获得高质量Si_1-xGe_x合金外延层并且研究该技术减少位错的机理，以便更好地生长低缺陷密度的SiGe层。同时，利用90度位错控制技术结合新的予置层方法生长纯立方相的高质量GaN基材料，为光电子和微电子器件开拓新的材料途径。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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