晶格失配异质外延层中应变弛豫机理的研究

以透射电镜为主要手段，研究了各种异质外延材料系中应变弛豫及有序化现象，结果如下：（一）在大失配应变异质外延材料中同时存在两个应变弛豫机制。靠近界面处的应变主要以形成失配位错的方式弛豫，而靠近表面处，主要以形成表面起伏，从而降低系统能量。（二）在三元合金外延材料系中，如：InGaP·InGaAs等外延材料中存在一些特殊的结构现象。（1）界面失配位错的晶向偏离<110>方向一个夹角。角度的大小与三元合金的成份有关。（2）外延层中的穿透位错的受力状态及其行为受合金化的影响很大。（三）在InGaP·InGaAs等外延材料中的有序化现象及其结构细节与生长条件有密切关系，并对其光电性质产生明显影响。