R面蓝宝石上A面GaN生长研究
基本信息
批准号：50872146
项目类别：面上项目
资助金额：40.00
负责人：陈弘
学科分类：
依托单位：中国科学院物理研究所
批准年份：2008
结题年份：2011
起止时间：2009-01-01 - 2011-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：张杰,何涛,高汉超
关键词：
发光二极管非极性GaN
结项摘要
GaN基LED在照明市场的前景备受全球瞩目，它将成为21世纪的新一代光源，以替代白炽灯、荧光灯和高压气体放电灯等传统光源。在蓝宝石衬底上生长非极性的A面GaN材料是解决现有的极性面GaN材料极化效应对发光效率的限制的重要方法。尽管A面GaN生长国内外已经研究多年，但没有得到器件质量的外延层。本课题是在我们多年A面GaN生长研究的基础上，分析了限制A面GaN生长的原因并提出了相应的解决方法。主要研究内容包括（1）.研究R面蓝宝石偏角衬底对A-GaN生长的影响（2）.高温AlN生长研究（3）.原位SiN的淀积和GaN二次外延研究。目的是得到器件质量的R面蓝宝石衬底上生长的A面GaN外延层，并得到非极性面GaN基蓝光发光二极管结构。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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