采用脉冲激光沉积法制备3d过渡金属掺杂的ZnO基稀磁半导体薄膜。研究整个制备过程对薄膜最终结构和磁性能的影响。通过选择3d过渡金属的种类、控制掺杂元素的百分含量、增加载流子浓度和选用最佳制备方案等使ZnO基稀磁半导体薄膜的居里温度提高到室温以上,并使其具有由过渡金属磁性正离子取代Zn离子的均相结构。结合理论模拟进一步弄清其磁性来源和磁性机制。本项目的研究结果将会为实现ZnO基稀磁半导体器件化的奠定
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数据更新时间:2023-05-31
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