3d过渡金属掺杂ZnO稀磁半导体薄膜的制备与磁性

基本信息
批准号:10574085
项目类别:面上项目
资助金额:12.00
负责人:许小红
学科分类:
依托单位:山西师范大学
批准年份:2005
结题年份:2006
起止时间:2006-01-01 - 2006-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:李小丽,王芳,杨治广,江凤仙,张瑞强,董晓忠,沈小华
关键词:
3d过渡金属居里温度ZnO稀磁半导体制备技术
结项摘要

采用脉冲激光沉积法制备3d过渡金属掺杂的ZnO基稀磁半导体薄膜。研究整个制备过程对薄膜最终结构和磁性能的影响。通过选择3d过渡金属的种类、控制掺杂元素的百分含量、增加载流子浓度和选用最佳制备方案等使ZnO基稀磁半导体薄膜的居里温度提高到室温以上,并使其具有由过渡金属磁性正离子取代Zn离子的均相结构。结合理论模拟进一步弄清其磁性来源和磁性机制。本项目的研究结果将会为实现ZnO基稀磁半导体器件化的奠定

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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