高Tc的In2O3稀磁半导体薄膜的制备、结构与磁性

采用脉冲激光沉积法制备过渡金属掺杂的In2O3稀磁半导体薄膜。研究整个制备过程对薄膜最终结构和磁性的影响。通过控制过渡金属元素的掺杂浓度、控制载流子浓度和采用最佳制备方案等制备出Tc远高于室温的In2O3稀磁半导体薄膜，并使其具有由过渡金属磁性正离子取代In3+离子的均相结构。运用磁园二色性谱和霍尔效应等表征手段来探明In2O3薄膜磁性的来源，结合第一性原理的理论计算进一步弄清其磁性产生的机制。本项目的研究结果将会为实现In2O3稀磁半导体薄膜的器件化奠定一定的实验和理论基础。