InGaAsP/GaAs无铝0.8um量子阱高功率激光器及列阵
基本信息
批准号：69577019
项目类别：面上项目
资助金额：10.00
负责人：王立军
学科分类：
依托单位：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
批准年份：1995
结题年份：1998
起止时间：1996-01-01 - 1998-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：李殿英,刘云,张志和,吕晓强
关键词：
高功率激光器量子阱激光器列阵
结项摘要
该项目首次成功地研制出肖特基势垒接触电流限制的808nm无铝InGaAsP/InGaP/GaAs双异质结分别限制单量子阱大功率激光器。采用多层激光器腔面光学膜，减少了热失配，增大了附着力，提高了大功率激光器腔面损伤阈值。通过降低器件欧姆接触电阻，设计加工新结构热沉，半导体制冷等方法。解决了激光器的散热问题。单管激光器室温连续输出光功率达3.6 瓦的好成果，居国际领先水平。准连续输出30瓦。发表论文四篇，申请并获准专利一项，召开了成果鉴定会，培养硕士研究生一名，超额出色地完成了项目书中的各项指标，项目执行过程中开展了国际合作，缩短了国内外的研究差距。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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