双稳态光学寻址叠层结构非晶硅神经元阵列的研究

研究了应用于全光学神经网络中的双稳态光学寻址非晶硅神经元阵列。构造了非晶硅基合金材料的理想分形结构模型，研究了其直流电导率在迁移率边发生局域化转变的阈值附近的输运行为，获得了不同光学带隙且具有优异光电性能的非晶硅基材料。从理论上研究了材料和器件参数对神经元阵列特性的影响，从而给出了提高器件性能的有效途径。研制出了具有四种不同分辨率的非晶硅神经元阵列，其良好的光学非线性阈值特性及优越的光学加和性，实现了非晶硅神经元阵列的基本逻辑运算功能。建立了描写非晶硅叠层结构神经元器件稳定性的模型，并探索了一种新颖的自适应光电神经突触器件。项目研究具有重要的科学意义，并为广泛的高科技应用打下了良好的基础。