异质半导体纳米线阵列的结构与性质
基本信息
批准号：90206030
项目类别：重大研究计划
资助金额：24.00
负责人：康俊勇
学科分类：
依托单位：厦门大学
批准年份：2002
结题年份：2005
起止时间：2003-01-01 - 2005-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：徐富春,余幸,冯夏,蔡端俊,高泉涌,林文志,刘嫦
关键词：
纳米线阵列结构与性质异质半导体
结项摘要
采用场发射扫描电镜和高分辨透射电镜观察异质半导体纳米线阵列的形貌和结构图像，并测试界面处的能量色散X光谱和阴极荧光谱：用高空间分辨率的电子能谱测量界面处组分分布、化学位移；测量其光吸收、电流—电压、电容—电压、光电流和光电容等特性。用第一原理赝势法模拟计算其晶格结构和电子结构。为有效控制结构、挖掘应用提供科学依据。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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